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FUJITSU富士通芯片存储器功能稳定

更新时间:2024-07-08

访问量:535

厂商性质:经销商

生产地址:日本

简要描述:
FUJITSU富士通芯片存储器功能稳定MB89255A/B 多年来,FUJITSU一直以来倾注于提供高质量和高性能的存储器,这对于那些增强型的数字应用而言必不可shao。富士通/fujitsu FRAM存储器 IC芯片FRAM(铁电RAM)是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。FRAM不需要备用电池来保留数据,并且具有更高的读/写耐久性,更快的写入速度操作和更低的功耗。
品牌FUJITSU/富士通品牌FUJITSU
型号MB89255A/B产地日本
库存数量108825片单位
发货方法快递参数详见说明书
工作环境温度范围-40°C至+125°C

FUJITSU富士通芯片存储器功能稳定MB89255A/B 我们的优势:存储器是现代信息系统最关键的组件之一,已经形成主要由DRAM与NAND Flash构成的超千亿美元的市场。随着万物智联时代的到来,

人工智能、智能汽车等新兴应用场景对存储提出了更高的性能要求,促使新型存储器迅速发展,影响未来存储器市场格局。目前,

新型存储器主要有4种:相变存储器(PCM),铁电存储器(FeRAM),磁性存储器(MRAM)和阻变存储器(ReRAM)。

其中,FeRAM是一种理想的存储器,在计算机、航天航空、军工等领域具有广阔的应用前景,世界上许多大的半导体公司对此都十分重视。

代理品牌富士通半导体正在批量生产具有快速数据传输功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。这种非易失性存储器可以在最大 108MHz 的工

作频率下实现每秒 54MByte 的数据传输率,并具有四个 I/O 引脚的 Quad SPI 接口(图1)。本产品具有高速运算和非易失性的特点,

非常适合用于需要快速数据重写的可编程逻辑控制器(PLC)和路由器等工业计算和网络设备。

20 多年来,富士通半导体已量产的 FeRAM 产品,与 EEPROM 和闪存相比,具有更高的读写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。到目前为止,这些高可靠性产品已成功应用于工业、基础设施、消费和汽车领域。

FUJITSU富士通芯片存储器功能稳定MB89255A/B 提供各产品信息服务:此外,一些客户一直在要求 FeRAM 可以在非易失性存储器的同时进行快速数据传输。我们很高兴能够通过 Quad SPI 4Mbit FeRAM 产品满足这一要求。

MB85RQ4ML采用Quad SPI接口和1.8V电源电压,在108MHz工作频率下数据传输速率为54MB/s。在此产品发布之前,

具有 16 个 I/O 引脚的并行接口的 4Mbit FeRAM 是最快的 FeRAM,具有 13MB/s 的数据传输速度。然而,MB85RQ4ML

只有四个 I/O 管脚,读写数据大约是并行接口 FeRAM 的 4 倍(图3)。 其封装为 16pin SOP,封装尺寸为 7.5mm x 10.3mm。

数据传输率比较

如果您在产品中使用闪存、EEPROM 或低功耗 SRAM,并且遇到以下任何问题,请考虑使用富士通半导体的 FeRAM 解决方案。

状态:使用闪存 问题:由于写入耐久性较低,软件开发负担较大

闪存保证几十万次的写周期。如果数据被多次写入内存中的同一区域,该区域很快就会达到保证写入周期时间的上限。

因此,设计工程师必须开发一种名为“wear leveling"的软件来分配内存区域中的写入位置,以使数据不会多次写入同一位置。

软件开发的工作量对设计工程师来说是一个非常大的负担。而 FeRAM 保证 10 万亿次读/写周期,并且数据可以像低功耗 SRAM 一样被覆盖到内存区域。

这些功能有助于设计工程师,因为工程师不需要开发复杂的数据写入软件,例如磨损均衡

磨损均衡示意图

状态:使用 EEPROM 问题:数据写入时间较长

EEPROM 即使是 8 位数据写入也有 5ms 的写入周期时间,因为它除了写入操作之外还包括擦除操作。另一方面,FeRAM 具有较短的写入时间,例如在 8 位数据写入时为数百纳秒,因为它不需要擦除操作(图5)。此外,带有 SPI 接口的 EEPROM 在最高 20MHz 的工作频率下具有 2.5Mbyte/s 的数据传输率。而富士通半导体的 Quad SPI FeRAM 有 54Mbyte/s,是 EEPROM 的 20 倍以上。

写入时间比较

状态:使用 SRAM 问题:难以取出电池并减少组件安装面积

低功耗 SRAM 需要电池来保存数据以保存写入的数据,但由于非易失性存储器,FeRAM 不需要电池。然后,由于 SRAM 有 16 个 I/O 引脚,许多 SRAM 采用 44pin TSOP 封装形式,但 MB85RQ4ML 采用 16pin SOP 封装,具有 4 个 I/O 引脚。这意味着,如果您将 SRAM 替换为 FeRAM,您可以通过移除电池并使用更小的封装来减少 77% 的内存安装面积

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MB85RS128B

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MB85RC512T

MB85RC256V

MB85RC128A

MB85RC64TA

MB85RC64A

MB85RC64V

MB85RC16

MB85RC16V

MB85RC04

MB85RC04V

MB85R8M1TA

MB85R8M2TA

MB85R8M2T

MB85R4M2T

MB85R4001A

MB85R4002A

MB85R1001A

MB85R1002A

MB85R256F

MB85AS12MT

MB85AS8MT










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